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培育钻石常见的两种方式介绍
2021-11-01

        培育钻石常见的两种培育方式培育钻石是根据天然钻石形成的原理,采用人工的方法制成的宝石级金刚石,目前主流的培育钻石培育方法主要为高温高压法(HPHT)和化学气相沉积法(CVD),如图表1-1所示,这两种方法主要源于两种不同的培育钻石生产技术。

表1两种培育钻石技术对比

高温高压法(HPHT)

化学气相沉积法(CVD)

主要培育设备

六面顶压机、分割球(BARS)、两面顶

微波等离子体CVD外延生长装置

成本

生产1克拉培育钻石大概需要几十个小时

生产1克拉培育钻石大
概需要数百个小时

产品规格

偏重小、碎钻的培育

偏重大颗粒培育钻石

良品率

60%(约3%优等率
     +30%合格率)

85%

        HPHT技术(High Pressure High Temperature高温高压法):主要是以石墨或金刚石粉,或石墨与金刚石粉的混合物为碳源,将它们溶解在铁镍合金的触媒中,借高温超高压反应腔温度梯度的作用,使触媒中溶解的碳进入高压腔,在温度较低的金刚石种晶上沉淀而长成的宝石级金刚石,简单来说就是让碳种子成长为钻石的一种方法。HPHT技术的主要依据是天然钻石的形成过程,即天然钻石是在地下130~180km深处,高温达900℃~1300℃,高压达(45~60)x108Pa的情况下形成碳结晶的过程来生产钻石。因这种培育钻石的生产条件最接近自然,同时由于得到的钻石生长环境好于天然的环境,因此用此技术生产出的钻石,在硬度方面有时更是高于天然钻石。HPHT技术是培育钻石的基本方法之一,培育的基本原理是在人造的高温高压环境下,将石墨进行转变生成钻石,一般需要10GPa、3000℃以上的压力和温度。如果有特别的金属触媒(如Fe、Ni、Co、Mn等元素以及它们的合金)参与,石墨转变为钻石所需要的条件将大幅降低,通常压力为5.4GPa,温度为1400℃,这大大降低了生产难度。培育钻石主要生产国有俄罗斯、中国、美国、英国、乌克兰、日本等,HPHT法生产培育钻石的设备和技术细节依不同国家和厂商而异,以前国外多使用两段式分球压机(BARS型,将液体注入压力桶内,使8个球体截体合拢,构成八面体形状的6个活塞产生压力)和两面顶型压机(BELT型,压带机上下顶锤和中部一个压缸组成,顶锤装置产生的压力达6.5GPa,温度达2000℃)生产培育钻石,我国科学家和厂商多使用国产的六面顶压机生产。CVD技术(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积法或化学气相沉淀法):化学气相沉积法是使用一种或多种气体,在加热的固体基材上发生化学反应,并镀上一层固态薄膜的生产方式。具体讲CVD培育钻石是以一块天然钻石的裸石为母石,利用高纯度的甲烷、加上氢、氮等气体辅助,在微波炉中以低压的方式,在洗碗机大小的压力室里形成一种碳等离子体,该等离子体不断沉积在压力室底部的碳底层上,并逐渐积聚和硬化,最终形成钻石薄片,进而再切割成宝石外形的过程。甲烷中与钻石一样的碳分子不断累积到钻石原石上,经过一层层的增生,可稳定形成大至10克拉的透明钻石。为了使CVD技术的培育钻石生长较为顺利,碳源常常用已具钻石结构的甲烷,当然也可以选择其他的气体,只是高纯度的甲烷目前为常见的气体选择。用CVD技术“长大”的钻石,由于品质与天然钻石别无二致,整个生产过程有利于控制,因此成为行业新宠。在全球所有的CVD机器中属美国的机器较好,如CTS-6U型微波等离子金刚石CVD系统,他们的主要客户是新加坡的IIa公司和日本的Seki公司,据说这是领先日本Seki的升级版本。当然德国Iplas公司的CYRANNUS1-6(另一种微波等离子CVD系统)也不错,主要是构型有特色。法国Plassys的SSDR150的设备相对比较稳定,并且等离子体的设计水平较高。不过现在中国国内主流的机器是日本Seki的SDS6K,这是一款不错的机器,据说上海的征世和杭州的超然公司都是用的这个机器。前面这四个国家的机器都属于小众性的,需要6个月的订货期,不适合大规模使用。俄罗斯optp的Aris300我去俄罗斯参观过,据说是他们的第三代产品,当前的产量较低,一年生产交货也不过10台左右。可以大量生产和交货的厂家主要有中国台湾捷斯奥的WEC6000D设备,据说是由原卡耐基实验室CVD项目的参与人颜志学博士负责技术指导。还有就是中国成都纽曼公司的HMPS-2060S机器,这种国产的CVD培育钻石生产机器主要是便宜,据说宁波晶钻(宁波晶钻工业科技有限公司)和印度培育钻石生产商都在使用。当然国内还有数家CVD设备厂商生产的机器也不错,如我个人比较认可的深圳优普莱、北京清碳科技和成都环宇科技公司,但篇幅有限,在这里就不一一介绍了。

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